Acal BFi vil forsyne markedet med hurtige synkrone SRAM'er

Acal BFi vil sikre, at der fortsat er muligt at få fast hurtige synkrone SRAM (FSS'er) efter Samsung har annonceret planer om at trække sig fra markedet (in english).

Nyt microSD kort sigter mod industriapplikationer

InnoDisk annoncer industrielt microSD kort, der bl.a. inkluderer monitoreringsfunktion og har indbygget data refresh funktion (in english)

Toshiba klar med USB 3.0 kompatibel USB flash hukommelse

Toshiba klar med 32GB og 64GB USB flash hukommelser, der understøtter 'Super Speed' USB 3.0, som er 22 gange hurtigere end tidligere versioner (in english).

Første 256 GB CompactFlash kort

Lexar lancerer som de første i industrien et 256 GB CompactFlash kort. Der er også nye 64GB og 128 GB versioner tilgængelige (in english).

SLC NAND flash med indbygget fejlkorrektion

Toshiba annoncerer single level celle (SLC) flash med indbygget EEC. Der lanceres henholdsvis 4- og 8 Gbit versioner (in english).

Industrigiganter samarbejder om den næste generation af memoryteknologier

Panasonic, Samsung, Sandisk, Sony ogToshiba går sammen om udvikling af den næste generation af 'secure' memory-løsninger (in english).

Første single-chip 128 gigabit NAND flash-hukommelse

IM Flash Technologies - der er et joint-venture mellem Intel og Micron - annoncerer den første 128 Gb Flash-kreds. Samtidig er den tidligere introducerede 64 Gb hukommelse nu gået i masseproduktion (in english).

Ny embedded SRAM-teknik baner vej for markant reduktion af effektforbruget

Toshiba har udviklet ny kredsløbsteknik, der gør det muligt at integere embedded SRAM, som opererer ved en spændingsforsyning fra 0,5V til 1,0 V (in english).

Samsung og Micron vil nedbryde memory-muren

I et storstilet samarbejde vil Samsung og Micron udvikle en åben interfacestandard samt en helt ny memory-teknologi kaldet Hybrid Memory Cube (in english).

Solid state disks er optimeret til militære og aerospace applikationer

InnoDisk lancerer ny generation af InnoRobust II SATA SSD'er, der bl.a. inkluderer den innovative iCell teknologi (in english).

Dramatisk fald i DRAM-priserne

Der nu overkapacitet på DRAM-markedet og priserne på f.eks. 2Gb DDR3 hukommelser vil i følge IHS falde med 24 procent fra andet til tredje kvartal. Men der endnu større fald i vente (in english).

32 GB DDR3 hukommelser anvender '3D' teknologi

Samsung lancerer nu 32GB hukommelsesmoduler, hvor der anvendes en tredimensionel pakningteknologi (in english).

512 GB solid state disk med SATA 3.0 interface

Samsung lancerer højt ydende 512GB SSD'er med med ultrahurtig SATA Revision 3.0 interface (in english).

Dedikeret produktionsfacilitet til tyndfilms hukommelser er åbnet

Det norske teknologifirma, InkTek, har sammen med firmaets koreanske produktionspartner åbnet dedikeret produktionslinie for tyndfilms hukommelser (in english).

Nye solid state disk til industriapplikationer

TDK lancerer SDG3B serien af serielle ATA II kompatible industrielle solid state drives (SSD'er) med en maksimum kapacitet på 128 GByte (in english).

DRAM-industrien under stor forandring

Hastigheden af den teknologiske evolution i DRAM-industrien reduceres, og i den kommende tid kommer man ikke til at se samme agressive priserosion som tidligere, fremhæver IHS iSuppli (in english).

Digi-Key i distributionssamarbejde med Swissbit

Swissbit - der er Europas største producent af DRAM moduler og Flash lagringsmedier - har indgået global distributionsaftale med Digi-Key (in english).

Ny generation af microSD kort til 4G smartphones

Samsung lancerer hurtigere, højtydende memorykort til 4G smartphones (in english). 

NOR Flash finder nye anvendelsesområder

Tablets som iPads og e-book læsere som Amazon's Kindle er med til at revitalisere markedet for NOR Flash hukommelser (in english)

Samsung tilbyder nu 28nm low power proces til foundry kunder

Samsung har kvalificeret en 28nm LP (low power) proces til firmaets foundry kunder. Den ny procesnode kan booste ydelsen i mange af de kommende generationer af mobile applikationer (in english).

Cypress lancerer high-density FIFO hukommelser

FIFO hukommelser med densiteter på op til 72 Mbit sigter mod bl.a. krævende video- og imaging applikationer (in english).

Faldende priser pressser DRAM-markedet

Første kvartal af 2011 udviklede sig skuffende for DRAM-producenterne, hvilket langt hen  af vejen skyldes lavere end forventede salgspriser, vurderer IHS iSuppli (in english).

Volumenproduktion af 32 GB memorymoduler

Samsung har nu startet produktionen de første 32 GB memorymoduler, der er bygget op omkring fire 30nm baserede DDR3 DRAM-chips (in english)

De første 3G RLDRAM'er er nu klar i samplekvantiteter

Micron er nu ved at være klar til starte produktionen af firmaets tredje generation af 'reduced latency DRAM hukommelser (in english).

OKI introducerer ferroelektrisk RAM

OKI går nu ind på markedet for ferroelektriske RAM (FeRAM) hukommelser med en familie af komponenter med en kapacitet op til 256 kbit (in english).

Multilevel NAND flash med 'toogle' interface

Samsung lancerer industriens første 64-gigabit MLC NAND flash, der anvender det såkaldte 'toggle' DDR 2.0 interface (in english).

Termiske sensorer til DDR3 memorymoduler

IDT lancerer termiske sensorer, der kan forbedre pålideligheden og reducere effektforbruget i memorysubsystemer (in english).

Ekstern 12x blu-ray brænder

Lite-On er klar med USB 3.0 blu-ray-brænder, der kan brænde blu-ray-diske med en 12x brændehastighed.

Single-chip NAND flash med 64Gbit kapacitet

Toshiba lancerer nu NAND flash kredse, der er baseret på 19nm procesteknologi (in english).

NAND flash på 20nm procesplatform baner vej for 8 GB chips

Intel og Micron, der samarbejder omkring NAND flash teknologi, tager nu et stort procesteknologisk fremskridt og kan nu bl.a. tilbyder 8 GB MCL NAND flash kredse (in english).

Toshiba lancerer embedded NAND flash baseret på 24nm teknologi

Ny generation af high-density NAND Flash kredse har integreret ECC-support, hvilket letter systemudviklingen markant (in english).

Nye teknologier trænger ind på Mobile DRAM markedet

Markedet for Mobile DRAM'er vokser kraftigt, men de eksisterende teknologier har deres begrænsninger, fremhæver IHS iSuppli (in english).

Intel klar med 3. generation af Flash disks

Intel har netop lancereret firmaets tredje generation af solid state drives (SSD'er) baseret på 25nm Flash og kapacitet helt op til 600 GB.

nvSRAM'er med I2C og SPI

Cypress udvider seriel nvSRAM portefølje med I2C og anden generations SPI enheder med densiteter fra 64kb til 1Mb (in english). 

Markedet for harddisk drev lider under depression

Solid-state disks har erobret tablet-markedet, og det gør ondt på hardisk leverandørerne, at de ikke har del af et tidens vigtigste vækstmarkeder (in english).

Solid-state harddiske med 6 Gbit/s overførselshastighed

Intel introducerer helt ny generation af solid-state harddiske med særdeles hurtige skrive- og læsehastigheder.

Pas på direkte konvertering af magnetisk disk til flash løsning

Flash disk sikkerhed adskiller sig på afgørende vis fra magnetiske drev, hvilket man skal være opmærksom på i forbindelse med et direkte teknologiskift, fremhæver firmaet Orgin Storage (in english)

Mobile DRAM med 'wide' I/O interface

Samsung udvikler 1Gb wide I/O mobile DRAM, der kan transmittere data med en hastighed på 12,8 GByte/s (in english). 

Samsung sidder tungt på DRAM-markedet

Det er lykkedes for Samsung at udbygge sin i forvejen dominerende position på DRAM-markedet, fastslår IHS iSuppli (in english).

NAND flash har fundet et trygt hjem i tablets

IHS iSuppli estimerer, at NAND flash forbruget i tablets vil forøges med en faktor fire i 2011 (in english).

SD flash kort med SLC-teknologi

M-Comp introducerer industrielt SD flash kort, der bl.a. er kompatibel med seneste 3.0 standard (in english).

USB 3.0 blu-ray diskbrænder

Plextor er introducerer nu første blu-ray diskbrænder, der tilbyder 12X BD brændehastighed.

Tablets sluger DRAM i stor målestok

Det for tiden eller noget problemfyldte DRAM-marked kan glæde sig over, at DRAM-efterspørgslen til tablet applikationer vil forøges men faktor 9 i 2011, fremhæver IHS iSuppli (in english).

576 Mbit DRAM til netværksudstyr

Renesas lancerer 576 Mbit 'low-latency' DRAM, der er optimeret til brug i netværksudrustning (in english).

DRAM'erne mister pusten

Den massive fald i salgspriserne vil reducere omsætningen på DRAM-markedet med knap 12 procent i 2011, vurderer iSuppli (in english).

DRAM-priserne kollapser

Ifølge iSuppli faldt DRAM-priserne i december måned til det laveste niveau i 2010. Og set med DRAM-producenternes øjne er der ikke bedre tider på vej (in english).

Første DDR4 DRAM-modul er nu udviklet

Samsung annoncerer, at firmaet nu har færdigudviklet industriens første DDR4 DRAM-modul, der er baseret på 30nm komponentteknologi (in english).

8 GByte DDR3 memorymodul baseret på avanceret stackingteknologi

Samsung udvikler et 8 GByte memorymodul, der er baseret på en tredimensionel stacking teknologi (in english).

De første 4Gbit LPDDR2 DRAM'er er nu klar

Samsung er ved at være klar til at levere 4 Gbit LPDDR2 DRAM'er, der kan operere med dataoverførselshastigheder på over 1Mbit/s (in english).

Intel satser hårdt på et SSD-gennembrud

Intel har netop sat prisen ned på Solid State Drive (SSD)  lagringsenheder og introducerer samtidig en ny 120GB SSD (in english). 

Forrige123456Næste

Elektronik & Data • Odsgard A/S • Stationsparken 25 • 2600 Glostrup • Tlf: +45 4345 1063